一、濕敏水淮MSL的認證與升級

（一）、認證MSL

電路板正式取得濕敏水淮（MSL)的過(guò)程。凡尚未經(jīng)認證的新品，均須從Table-1中最低水淮（Level 6〉做起，也就是當Level 6考試及格后，才能升級到Level 5a之水淮，與再級升到Level 5等。此種一直向上升級直到無(wú)法過(guò)關(guān)時(shí)，即宣告取得所屬的Level 1。

（二）、升級MSL

凡已被認證某Level 1的封件若欲再升級者，必須先行通過(guò)"額外的可靠度試驗"。此試驗共需先后二批共22個(gè)樣本，而二個(gè)批又須從兩個(gè)以上不連續生產(chǎn)批中去抽取。其各批產(chǎn)品之外觀(guān)應儘量相同，且各生產(chǎn)批事先均須通過(guò)所有的製程。

每批中所抽取的11個(gè)樣本，亦需完成所有製程。進(jìn)入升級考試之樣本，還須連續執行了Table5-1表列之吸濕試驗，直到后續各種電測與目檢過(guò)關(guān)爲止。供應商必須先行自我認證之肯定層級后，才能送交客戶(hù)再行層級之認證。

（三）、吸濕手法

Table5-1之內容首先對某一水淮表列"吸濕條件"進(jìn)行放置試驗，之后還要執行各種電性試驗以及目檢，并完成"超音波掃瞄顯微鏡"（C-SAM)之檢查底線(xiàn)。但本規范之目的卻不是爲了初檢之"分層"，而定其出允收或拒收的"淮則"。

待執行試驗的封件，須先在125℃烤箱中烘烤24小時(shí)以除去水氣，使在已乾燥的情況下進(jìn)行吸濕試驗。不過(guò)在執行次高與最高水淮之試驗時(shí)，執行"雙八五"吸濕的168小時(shí)〈7天）前，所需之烘烤除濕仍可斟酌情況而另定其他條件。

二、前段吸濕與后段回焊

（一）、吸濕試驗

將待吸濕試驗的半導體封件，放置于清潔乾燥的淺盤(pán)中，彼此不可接觸或重迭，全程都要遵守JESD625之規定，且應避免"靜電傷害"的發(fā)生。下列Table 5-1之內容即爲半導體封裝元件，共可區分爲八種濕敏水淮（MSL)，于其開(kāi)封后與完成組裝焊接前，在廠(chǎng)房環(huán)境條件中詳述其現場(chǎng)停留之時(shí)限，以及吸溼試驗的各項細部條件等。

(1)、 正常試驗須按所例之標淮條件，或按一般己知擴散活化能之0.4-0.48eV去進(jìn)行。當試驗樣本經(jīng)前段吸濕與后段回焊后，一旦發(fā)生損傷或電性不良等失效情形者，才須再按表列右側之"加速性等值"條件再去進(jìn)一步驗證，正常試驗不可採用此種加速條件。此種加速試驗之耗時(shí)，可按不同模封料與包封料之特性而予以機動(dòng)變化。

(2)、表中之"標淮吸濕"時(shí)間，事實(shí)上已將半導體生產(chǎn)商，在烘烤除濕與入袋保存間前之"製造者暫曝時(shí)間"（MET），以及分銷(xiāo)商設施中離袋后之外露時(shí)間，兩者總共未超過(guò)24小時(shí)者可全數默認在內。當實(shí)際MET不足24小時(shí)者，則其吸溼時(shí)間可予以縮短，亦即凡採“30℃/60%RH”之條件時(shí)，可縮短吸濕時(shí)間爲1小時(shí)。但若採30℃/60%RH時(shí)，凡其MET多了 1小時(shí)，則其吸溼時(shí)間也要增加1小時(shí)。一旦!^2丁超過(guò)24小時(shí)后，則其吸濕時(shí)間應增加5小時(shí)。

(3)、供應商一旦感到產(chǎn)品尚具冒險性而不安全時(shí)，則亦可延長(cháng)其吸濕時(shí)間。

表1、後段回焊考試所用的溫時(shí)曲

（二）、后段之回焊

當待試驗的封件樣本，從前段考試溫濕箱中取出的15分鐘后，但不可超過(guò)4 小時(shí)的規定時(shí)段中，其樣本須按Table  5-2與Table 5-1的詳細規定進(jìn)行后段回焊考試，而且一共要通過(guò)三次考試。其每次回焊之間隔不可低于5分鐘，也不可超出1 小時(shí)。一旦樣本從溫濕箱取出后，在15分一 4小時(shí)之規定時(shí)段內未能完成回焊者，則該樣本批號必須按前述做法重新進(jìn)行烘烤與重新吸濕。

完成全部考試的封件，須先在40倍顯微鏡下進(jìn)行目檢，以觀(guān)察是否出現破裂。然后再對所有樣本按型錄上的允收數據或廠(chǎng)內既有規范，進(jìn)行電測與是否及格的判決，最后還要用C-SAM進(jìn)行內部之破裂分析。