全球電鍍PCB產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占電子元件產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的比例迅速增長(cháng)，是電子元件細分產(chǎn)業(yè)中比重最大的產(chǎn)業(yè)，占有獨特地位，電鍍PCB的每年產(chǎn)值為600億美元。電子產(chǎn)品的體積日趨輕薄短小，通盲孔上直接疊孔是獲得高密度互連的設計方法。要做好疊孔，首先應將孔底平坦性做好。典型的平坦孔面的制作方法有好幾種，電鍍填孔工藝就是其中具有代表性的一種。

電鍍填孔工藝除了可以減少額外制程開(kāi)發(fā)的必要性，也與現行的工藝設備兼容，有利于獲得良好的可靠性 。

電鍍填孔有以下幾方面的優(yōu)點(diǎn)

(1)有利于設計疊孔(Stacked)和盤(pán)上孔(Via．on．Pad)；

(2)改善電氣性能，有助于高頻設計；

(3)有助于散熱；

(4)塞孔和電氣互連一步完成；

(5)盲孔內用電鍍銅填滿(mǎn)，可靠性更高，導電性能比導電膠更好。

化學(xué)影響因素

1. 無(wú)機化學(xué)成分

無(wú)機化學(xué)成分包括銅(Cu：)離子、硫酸和氯化物。

(1)硫酸銅。硫酸銅是鍍液中銅離子的主要來(lái)源。鍍液中銅離子通過(guò)陰極和陽(yáng)極之間的庫侖平衡，維持濃度不變。通常陽(yáng)極材料和鍍層材料是一樣的，在這里銅既是陽(yáng)極也是離子源。當然，陽(yáng)極也可以采用不溶性陽(yáng)極，Cu2+采用槽外溶解補加的方式 ，如采用純銅角、CuO粉末、CuCO等。但是，需要注意的是，采用槽外補加的方式，極易混入空氣氣泡，在低電流區使Cu2處于超飽和臨界狀態(tài)，不易析出。值得注意的是，提高銅離子濃度對通孔分散能力有負面影響。

(2)硫酸。硫酸用于增強鍍液的導電性，增加硫酸濃度可以降低槽液的電阻與提高電鍍的效率。但是如果填孔電鍍過(guò)程中硫酸濃度增加，影響填孔的銅離子 補充，將造成填孔不良。在填孔電鍍時(shí)一般會(huì )使用低硫酸濃度系統，以期獲得較好的填孔效果。

(3)酸銅比。傳統的高酸低銅(C+：C：+=8-13)體系適用于通孔電鍍，電鍍填孔應采用低酸高銅(C+：Cz=3-10)鍍液體系。這是因為為了獲得良好的填孔效果，微導通孔內的電鍍速率應大于基板表面的電鍍速率，在這種情況下，與傳統的電鍍通孔的電鍍溶液相比，溶液配方由高酸低銅改為低酸高銅，保證了凹陷處銅離子的供應無(wú)后顧之憂(yōu)。

(4)氯離子。氯離子的作用主要是讓銅離子與金屬銅在雙電層間形成穩定轉換的電子傳遞橋梁。

在電鍍過(guò)程中，氯離子在陽(yáng)極可幫助均勻溶解咬蝕磷銅球，在陽(yáng)極表面形成一層均勻的陽(yáng)極膜。在陰極與抑制劑協(xié)同 作用讓銅離子穩定沉積，降低極化，使鍍層精細。

另外，常規的氯離子分析是在紫外可見(jiàn)光分光光度計卜進(jìn)行 的，而由于電鍍填孔鍍液對氯離子濃度的要求較嚴格，同時(shí)硫酸銅鍍液呈藍色，對分光光度計的測量影響很，所以應 考慮采用自動(dòng)電位滴定分析。

2. 有機添加劑

采用有機添加劑可以使鍍層銅晶粒精細化，改善分散能力，使鍍層光亮、整平。酸性鍍銅液中添加劑類(lèi)型主要有三種：載運劑(Carrier)、整平劑(Leveler)和光亮劑(Brightener)。

(1)載運劑。載運劑是高分子的聚醇類(lèi)化合。載運劑被陰極表面吸附，與氯離子一起作用抑制電鍍速率，使高低電流區的差異降低(亦即增加極化電阻)，讓電鍍銅能 均勻的持續沉積。抑制劑同時(shí)可充當潤濕劑，降低界面的表面張力(降低接觸角)，讓鍍液更容易進(jìn)入孔內增加傳 質(zhì) 效 果。在填孔電鍍中，抑制劑也可以銅層均勻沉積。

(2)整平劑。整平劑通常是含氮有機物，主要功能是吸附在高電流密度區(凸起區或轉角處)，使該處的電鍍速度趨緩但不影響低電流密度區(凹陷區)的電鍍，借此來(lái)整平表面 ，是電鍍時(shí)的必要添加劑。一般地，電鍍填孔采用高銅低酸 系統會(huì )使鍍層粗糙，研究表明，加入整平劑可有效改善鍍層不良的問(wèn)題。

(3)光亮劑。光亮劑通常足含硫有機物，在電鍍中主要作用是幫助銅離子加速在陰極還原，同時(shí)形成新的鍍銅晶核(降低表面擴散沉積能量)，使銅層結構變得更細致。光亮劑在填孔電鍍中的另一個(gè)作用是，若孔內有較多的光亮劑分配比率，可以幫助盲孔孔內電鍍銅迅速沉積。對于激光盲孔的填孔電鍍而言，三種添加劑全用，且整平劑的用量還要適當地提高，使在板面上較高電流區，形成整平劑與Cuz競爭的局面，阻止面銅長(cháng)快長(cháng)厚。相對地，微導通孔中光亮劑分布較多的凹陷處有機會(huì )鍍得快一點(diǎn)，這種理念與做法與IC鍍銅制程的Demascene CopperPlating頗為相似。

3. 物理影響參數

需要研究的物理參數有：陽(yáng)極類(lèi)型、陰陽(yáng)極間距 、 電流密度、攪動(dòng)、溫度、整流器和波形等。

(1)陽(yáng)極類(lèi)型。談到陽(yáng)極類(lèi)型，不外乎是可溶性陽(yáng)極與不溶性陽(yáng)極?？扇苄躁?yáng)極通常是含磷銅球，容易產(chǎn)生陽(yáng)極泥，污染鍍液，影響鍍液性能。不溶性陽(yáng)極，亦稱(chēng)惰性陽(yáng)極，一般是涂覆有鉭和鋯混合氧化物的鈦網(wǎng)來(lái)組成。不溶性陽(yáng)極，穩定性好，無(wú)需進(jìn)行陽(yáng)極維護，無(wú)陽(yáng)極泥產(chǎn)生，脈沖或直流電鍍均適用；不過(guò)，添加劑消耗量較大。

(2)陰陽(yáng)極間距。電鍍填孔工藝中陰極與陽(yáng)極之間的間距設計是非常重要的，而且不同類(lèi)型的設備的設計也不盡相同。不過(guò)，需要指出的是，不論如何設計，都不應違背法拉第一定律。

(3)攪拌。攪拌的種類(lèi)很多，有機械搖擺、電震動(dòng)、氣震動(dòng)、空氣攪拌、射流(Eductor)等。對于電鍍填孔，一般都傾向于在傳統銅缸的配置基礎，增加射流設計。不過(guò)，究竟是底部噴流還是側面射流，在缸內噴流管與空氣攪拌管如何布局；每小時(shí)的射流量為多少；射流管與陰極間距多少；如果是采用側面射流，則射流是在陽(yáng)極前面還是后面；如果是采用底部射流，是否會(huì )造成攪拌不均勻，鍍液攪拌上弱下強；射流管上射流的數量、間距、角度都是在銅缸設計時(shí)不得不考慮的因素，而且還要進(jìn)行大量的試驗。另外，最理想的方式就是每根射流管都接入流量計，從而達到監控流量的目的。由于射流量大，溶液容易發(fā)熱，所以溫度控制也很重要。

(4)電流密度與溫度。低電流密度和低溫可以降低表面銅的沉積速率，同時(shí)提供足夠的Cu2和光亮劑到孔內。在這種條件 下，填孔能力得以加強，但同時(shí)也降低了電鍍效率。

(5)整流器。整流器是電鍍工藝中的一個(gè)重要環(huán)節。目前，對于電鍍填孔的研究多局限于全板電鍍，若是考慮到圖形電鍍填孔，則陰極面積將變得很小。此時(shí)，對于整流器的輸出精度提出了很高的要求。

整流器的輸出精度的選擇應依產(chǎn)品的線(xiàn)條和過(guò)孔的尺寸來(lái)定。線(xiàn)條愈細、孔愈小，對整流器的精度要求應更高。通常應選擇輸出精度在5％以?xún)鹊恼髌鳛橐?。選擇的整流器精度過(guò)高會(huì )增加設備的投資。整流器的輸出電纜配線(xiàn)，首先應將整流器盡量安放在鍍槽邊上，這樣可以減少輸出電纜的長(cháng)度，減少脈沖電流上升時(shí)間。整流器輸出電纜線(xiàn)規格的選擇應滿(mǎn)足在80％最大輸出電流時(shí)輸出電纜的線(xiàn)路壓降在0．6V以?xún)?。通常是?．5A／mm：的載流量來(lái)計算所需的電纜截面積。電纜的截面積過(guò)小或電纜長(cháng)度過(guò)長(cháng)、線(xiàn)路壓降太大，會(huì )導致輸電流達不到生產(chǎn)所需的電流值。

對于槽寬大于1．6m的鍍槽，應考慮采用雙邊進(jìn)電的方式，并且雙邊電纜的長(cháng)度應相等。這樣，才能保證雙邊電流誤差控制在一定范圍內。鍍槽的每根飛巴的兩面應各連接一臺整流器，這樣可以對件的兩個(gè)面的電流分別予以調整。

(6)波形。目前，從波形角度來(lái)看，電鍍填孔有脈沖電鍍和直流電鍍兩種。這兩種電鍍填孔方式都已有人研究過(guò)。直流電鍍填孔采用傳統的整流器，操作方便，但是若在制板較厚，就無(wú)能為力了。脈沖電鍍填孔采用PPR整流器，操作步驟多，但對 于較厚的在制板的加工能力強。

4. 基板的影響

基板對電鍍填孔的影響也是不可忽視的，一般有介質(zhì)層材料、孔形 、厚徑比、化學(xué)銅鍍層等因素。

(1)介質(zhì)層材料 。介質(zhì)層材料對填孔有影響。與玻纖增強材料相比，非玻璃增強材料更容易填孔。值得注意的是，孔內玻纖突出物對化學(xué)銅有不利的影響。在這種情況下，電鍍填孔的難點(diǎn)在于提高化學(xué)鍍層種子層(seed layer)的附著(zhù)力，而非填孔工藝本身。事實(shí)上，在玻纖增強基板上電鍍填孔已經(jīng)應用于實(shí)際生產(chǎn)中。

(2)厚徑比。目前針對不同形狀，不同尺寸孔的填孔技術(shù)，不論是制造商還是開(kāi)發(fā)商都對其非常重視。填孔能力受孔厚徑比的影響很大。相對來(lái)講，DC系統在商業(yè)上應用更多。在生產(chǎn)中，孔的尺寸范圍將更窄，一般直徑80pm～120Bm，孔深40Bm~8OBm，厚徑比不超過(guò)1：1。

(3)化學(xué)鍍銅層?；瘜W(xué)銅鍍層的厚度、均勻性及化學(xué)鍍銅后的放置時(shí) 間都影響填孔性能?；瘜W(xué)銅過(guò)薄或厚度不均，其填孔效果較差。通常，建議化學(xué)銅厚度>0．3pm時(shí)進(jìn)行填孔。另外，化學(xué)銅的氧化對填孔效果也有負面影響。

來(lái)源：PCBSMT網(wǎng)